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反激RCD中D如何选择?

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mimeshy
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LV6
高级工程师
  • 2022-8-4 09:15:46
10问答币
RCD中的D的最大电流如何选择?
如图isn如何计算?如果在Dsn后串入小电阻,就可以降低isn了?

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注意图中两只(再加上辅助绕组就是三只)二极管电路结构完全一样,都是DCR输出结构,其特性对电路的影响也完全一样,由此提出对Dsn的选用: 1、耐压一定要大于MOS耐压,常见错误是600V二极管配650VMOS 2、与副边一样,这个二极管的反向恢复对应的是效率,因电压显著较高而影响显著更大。要尽量快,能35nS就不要50nS,相同系列二极管1A比2A快,低耐压比高耐压快,必要时宁可低压小电流串联。最佳选择是0.5A塑封碳化硅二极管(有吗? ...
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nc965
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  • 2022-8-4 10:36:10
 
注意图中两只(再加上辅助绕组就是三只)二极管电路结构完全一样,都是DCR输出结构,其特性对电路的影响也完全一样,由此提出对Dsn的选用:
1、耐压一定要大于MOS耐压,常见错误是600V二极管配650VMOS
2、与副边一样,这个二极管的反向恢复对应的是效率,因电压显著较高而影响显著更大。要尽量快,能35nS就不要50nS,相同系列二极管1A比2A快,低耐压比高耐压快,必要时宁可低压小电流串联。最佳选择是0.5A塑封碳化硅二极管(有吗?)。
3、平均电流很小(mA数量级),峰值电流虽然显著更大,但相比二极管峰值电流耐量(典型值1A:30A)也绰绰有余,因此电流按最小选型即可
4、封装主要考虑焊盘爬电间距和敷铜散热
5、串电阻是必要的,视为尖峰电压谐振波形的阻尼,以至少不提高尖峰电压取大值。
6、冲击电流不要刻意去限制,你这里限制了它,它会以其它更不能接受的形式表现出来,你要做的是减少冲击电流的影响,也就是其电流回路包围面积最小化。

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mimeshy
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LV6
高级工程师
  • 2022-8-4 11:10:41
 
首先非常感谢
但是对第二点有一点疑惑,有些厂家会特地把反向恢复时间做的很长,来抑制辐射,和安全电压,这样做有风险吗?如下图这个管子的最大反向恢复时间是3000ns



nc965
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版主
  • 2022-8-4 11:52:18
 
已经说的很明白了,他这里用慢管,与输出用慢管等效,牺牲的是效率,这首先与拓扑意图相左,其次换来的好处都是未经普遍证实的个例,或许EMC更差也未可知。根本原因是EMC机制和安全机制术有专攻,不要依仗这颗二极管。
mimeshy
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LV6
高级工程师
  • 2022-8-8 16:30:47
  • 倒数5
 
我实际测试下来,发现效率并没有损失,12V2A的方案满载几乎一致,轻载效率确实高了

nc965
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版主
  • 2022-8-8 18:32:37
  • 倒数2
 
你实测输出用慢管,看有没有效率损失
joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2022-8-4 15:02:37
 
一般只用几十欧姆串联电阻限流 (100欧姆温升可能会很高),然后换1N4007,谁用谁知道
nc965
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版主
  • 2022-8-4 15:34:14
 
当然可以,比如你在输出也可以这样用,也会有输出,只是效率损失也雷同。
joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2022-8-4 15:42:52
 
上面的文档说的很清楚了,效率会有提升而不会下降

上一家公司的时候我试过,但我现在肯定没有测试报告贴出来。

不想做无谓的争论,楼主有心自己试一下就知道了。“实践是检验真理的唯一标准”
mimeshy
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LV6
高级工程师
  • 2022-8-8 16:28:41
  • 倒数7
 
拿到样品了,10%25%负载效率确实有提升,至于EMI还没有实验,等下次去实验室我把报告贴出来

mimeshy
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高级工程师
  • 2022-8-8 16:31:47
  • 倒数4
 
嗯,谢谢

Stephon
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LV8
副总工程师
  • 2022-8-4 15:09:06
 
串电阻阻值和封装按照什么来选择呢
nc965
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版主
  • 2022-8-4 15:32:53
 
正常情况下平均电流mA数量级,0805足矣,5楼那样用例外。
joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2022-8-4 15:54:01
 
上一家公司我自己测的没有,网上找到一个PI的应用文档:




nc965
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  • 2022-8-4 16:17:34
  • 倒数10
 
它这是在匹配同步整流动作,聪明
mimeshy
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LV6
高级工程师
  • 2022-8-8 16:29:48
  • 倒数6
 
匹配同步整流?这怎么说?
mimeshy
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高级工程师
  • 2022-8-8 16:40:48
  • 倒数3
 
这份应用文档我拿走了!
Colin_03
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助理工程师
  • 2022-8-5 11:54:47
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借楼问一下这里的反向恢复损耗咋算? 我测实物时电流反向阶段电压趋于0,是不是意味着几乎没有反向恢复损耗?
nc965
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  • 2022-8-5 12:29:30
  • 倒数8
 
机制与副边一样,波形反应在MOS导通瞬间的Ids电流冲击,损耗和EMC也是这里
Colin_03
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助理工程师
最新回复
  • 2022-8-11 09:17:34
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那主要的就是开通损耗了,波形看到也是导通时损耗比较大
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